遷移率少子壽命測試儀特點：

■測試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。

■主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進廠、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。

■適用于低阻硅料少子壽命的測量，電阻率測量范圍可達ρ>0.1Ω?cm（可擴展至0.01Ω?cm），完了微波光電導無法檢測低阻單晶硅的問題。

■全程監(jiān)控動態(tài)測試過程，避免了微波光電導（u-PCD）無法觀測晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復合效應(yīng)缺陷的問題。

■貫穿深度大，達500微米，相比微波光電導的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測量，避免了表面復合效應(yīng)的干擾。

■專業(yè)定制樣品架地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。

■遷移率少子壽命測試儀性價比高，價格遠低于國外國外少子壽命測試儀產(chǎn)品，極大程度地降低了企業(yè)的測試成本。